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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2004 [1]
2003 [1]
1999 [3]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:41/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou XL
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浏览/下载:441/157
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提交时间:2010/03/09
etch-pit density
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
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浏览/下载:351/16
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提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
dislocation
stacking faults
vacancy
strain relaxation
silicon
germanium
SI(100)
LAYERS
FILMS
THREADING DISLOCATION
TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy
期刊论文
defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
HREM
large-angle stereo-projection
misfit dislocations
stacking faults
TEM
LAYER
SUPERLATTICES
ELECTRON-MICROSCOPY
Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively
会议论文
9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999
Chen NF
;
Zhong XG
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
CRYSTALS
DEFECTS
Improvement of stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide grown under microgravity
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 3, 页码: 586-588
Lin LY
;
Zhong XR
;
Chen NF
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
SI-GaAs
stoichiometry
microgravity
DEFECTS
Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 173, 期号: 0, 页码: 325-329
Chen NF
;
He HJ
;
Wang YT
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide by x-ray bond method
期刊论文
applied physics letters, 1996, 卷号: 69, 期号: 25, 页码: 3890-3892
Chen NF
;
Wang YT
;
He HJ
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Oda O
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
GAAS
Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768
Chen NF
;
He HJ
;
Wang YT
;
Pan K
;
Lin LY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
GAAS
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