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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏  |  浏览/下载：65/6  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340 Zhou HY; Qu SC; Wang ZG; Liang LY; Cheng BC; Liu JP; Peng WQ 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 anodic alumina films   Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 959-962 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs 期刊论文 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 1006-1010 作者:  NING Jin;  LIU Xingfang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes 期刊论文 journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278 Sun, GS; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/03/17 4H-SiC   High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096 Zhang Yongxing; Sun Guosheng; Wang Lei; Zhao Wanshun; Gao Xin; Zeng Yiping; Li Jinmin; Li Siyuan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23