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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: art. no. 013102
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Gu
;
YX (Gu Yong-Xian)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
  |  
浏览/下载:208/54
  |  
提交时间:2010/04/13
energy states
optical modulation
quantum dot lasers
THRESHOLD CURRENT
WELL
GAIN
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
Growth and characterization of InN on sapphire substrate by RF-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 276, 期号: 3-4, 页码: 401-406
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2010/03/17
photoluminescence
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
SPECTROSCOPY
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