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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2004 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1996 [2]
1995 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题：半导体材料
内容类型：期刊论文
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High-performance quantum-dot superluminescent diodes
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 27-29
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载：69/29
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提交时间：2010/03/09
crystal growth
Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90
Gao YZ
;
Kan H
;
Gao FS
;
Gong XY
;
Yamaguchi T
收藏
|
浏览/下载：85/4
|
提交时间：2010/08/12
purification
X-ray diffraction
melt epitaxy
narrow gap materials
semiconducting III-V materials
CUTOFF WAVELENGTH
SINGLE-CRYSTALS
MU-M
INFRARED PHOTODETECTORS
GAAS
Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114
Liu CC
;
Wang HM
;
Li YX
;
Wang QL
;
Ren BY
;
Xu YS
;
Que DL
收藏
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浏览/下载：37/0
|
提交时间：2010/08/12
heavily Sb-doped silicon
oxygen concentration
thermodynamic calculation
oxygen solubility
lattice strain
Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650
Xu DP
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Wang XJ
;
Duan LH
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载：29/0
|
提交时间：2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
NITRIDATION
Liquid encapsulated-melt zone processing of GaAs
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 950-952
Zhou BJ
;
Chen WH
;
Jensen E
;
Amini A
;
Abbaschian R
收藏
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浏览/下载：18/0
|
提交时间：2010/11/17
Electrical properties of semi-insulating GaAs grown from the melt under microgravity conditions
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 553-556
Wang ZG
;
Lin LY
;
Li CJ
;
Zhong XR
;
Li YY
;
Wan SK
;
Sun H
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2010/11/17
Analysis of Dopant distributions in LEC-InP
期刊论文
crystal research and technology, 1995, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 1169-1178
Wei J
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2010/11/17
DIFFUSION
GROWTH
ZN
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
LPE
FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
收藏
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浏览/下载：9/0
|
提交时间：2010/11/15
LIQUID-PHASE EPITAXY
100 GAAS
TRANSIENT SPECTROSCOPY
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
SILICON
VACANCY
DEFECTS
TRAPS
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