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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：112/4  |  提交时间：2011/07/05
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:  羊建坤;  段瑞飞;  霍自强;  魏同波
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/08/16
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：85/6  |  提交时间：2010/03/08
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  刘斌;  陈涌海
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23
非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1779-1782
作者:  赵冀
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:  刘喆;  魏同波;  段瑞飞
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23
高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774
占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
Si基外延GaN的结构和力学性能 期刊论文
材料研究学报, 2007, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 409-413
作者:  刘喆;  魏同波
收藏  |  浏览/下载：136/18  |  提交时间：2010/11/23
ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1759-1762
作者:  魏学成
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23

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