高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能
	占荣 ; 赵有文 ; 于会永 ; 高永亮 ; 惠峰
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:9 页码:1770-1774
中文摘要	垂直梯度凝固法（VGF）生长的低位错半绝缘（SI）GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理.结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高.利用Hall、热激电流谱（TSC）、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法（LEC）SI-GaAs单晶样品进行了比较.原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15951]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	占荣,赵有文,于会永,等. 高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能[J]. 半导体学报,2008,29(9):1770-1774.
APA	占荣,赵有文,于会永,高永亮,&惠峰.(2008).高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能.半导体学报,29(9),1770-1774.
MLA	占荣,et al."高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能".半导体学报 29.9(2008):1770-1774.