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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2004 [1]
2002 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1997 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征
期刊论文
光散射学报, 2004, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 203-207
作者:
谭平恒
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371
作者:
Wang J
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104
Lu LW
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Leung BH
;
Surya C
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:100/14
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提交时间:2010/08/12
characterization
molecular beam epitaxy
semiconducting materials
STRAIN
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
Gao F
;
Huang CJ
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:177/52
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
etching
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting germanium
semiconducting silicon
QUANTUM DOTS
INAS
GROWTH
STRAIN
Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 403
范缇文
;
吴巨
;
王占国
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
应变Si(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 333
邹吕凡
;
王占国
;
孙殿照
;
张靖巍
;
李建平
;
孔梅影
;
林兰英
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延
期刊论文
电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 395
Zou L F
;
Wang Z G
;
Sun D Z
;
Liu X F
;
Zhang J W
;
Li J P
;
Kong M Y
;
Lin L Y
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 186
邹吕凡
;
王占国
;
范缇文
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
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