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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [2]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
作者:
王玉田
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提交时间:2010/11/23
离子束外延生长半导体性锰硅化合物
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
作者:
杨少延
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
期刊论文
材料研究学报, 2000, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 215
作者:
成步文
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提交时间:2010/11/23
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