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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文) 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
作者:  王玉田
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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 1429
作者:  杨少延
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2010/11/23
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善 期刊论文
材料研究学报, 2000, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 215
作者:  成步文
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/11/23


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