Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善

	Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
	成步文
刊名	材料研究学报
	2000
卷号	14 期号:2 页码:215
中文摘要	利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为198arcsec，且出现了Pendellosung干涉条纹，说明外延层结晶质量很好。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18583]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文. Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善[J]. 材料研究学报,2000,14(2):215.
APA	成步文.(2000).Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善.材料研究学报,14(2),215.
MLA	成步文."Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善".材料研究学报 14.2(2000):215.