使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）

	使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）
	王玉田
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:1 页码:35
中文摘要	使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{10-15}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值｜F(000L)｜~2/｜F(000-L)｜~2非常吻合。因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C-SiC{111}的极性。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18731]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. 使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(1):35.
APA	王玉田.(2001).使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）.半导体学报,22(1),35.
MLA	王玉田."使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）".半导体学报 22.1(2001):35.