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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Fabrication of a Low-Loss SSC Using High-Dose Electron Beam Lithography Exposure With Negative PMMA Resist 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503 Liu Y (Liu Yan); Xu XJ (Xu Xuejun); Xing B (Xing Bo); Yu YD (Yu Yude); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：92/1  |  提交时间：2010/04/22 Silicon-on-insulator (SOI)   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：151/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Experimental investigation on submicron rib waveguide microring/racetrack resonators in silicon-on-insulator 期刊论文 optics communications, 2009, 卷号: 282, 期号: 1, 页码: 22-26 Huang, QZ; Yu, YD; Yu, JZ 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/08 Resonators  Submicron rib waveguides  Silicon-on-insulator  Polarization   The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Improved surface morphology of stacked 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot active regions by introducing annealing processes 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 8, 页码: art.no.081902 Yang T (Yang Tao); Tatebayashi J (Tatebayashi Jun); Nishioka M (Nishioka Masao); Arakawa Y (Arakawa Yasuhiko) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THRESHOLD CURRENT  ROOM-TEMPERATURE  LASERS  MODULATION  LAYER