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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2016/06/01
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/12/12
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：50/4  |  提交时间：2010/03/08
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:  王玉田;  江德生;  赵德刚;  朱建军;  张书明
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性 期刊论文
半导体光电, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 209-212
曾友华; 郭亨群; 王启明
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23
The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers 期刊论文
materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
Wang XL (Wang X. L.); Zhao DG (Zhao D. G.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.)
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11
In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23

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