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Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
作者:  赵德刚;  王俊;  王俊
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直接键合硅片界面键合能的理论分析 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 140
作者:  韩伟华
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用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 483
作者:  成步文
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2010/11/23
a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 576
郭震宁; 黄永箴; 郭亨群; 李世忱; 王启明
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2010/11/23
MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/23
Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 397
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23


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