MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究

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	MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究
	王玉田
刊名	中国科学. A辑，数学
	1999
卷号	29 期号:5 页码:444
中文摘要	采用高温热退火的方法，在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层，高温退火时，来自界面层的TO_B，LO_B声子的强度降低，而来自六角相的E_2声子增强，说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下，六角相含量没有明显变化，而且与退火时间无关。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19049]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究[J]. 中国科学. A辑，数学,1999,29(5):444.
APA	王玉田.(1999).MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究.中国科学. A辑，数学,29(5),444.
MLA	王玉田."MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究".中国科学. A辑，数学 29.5(1999):444.