Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究

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	Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究
	王玉田
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:5 页码:397
中文摘要	利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。
英文摘要	利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5711.pdf: 281493 bytes, checksum: ea05f6601ef86d6fe4cbdbc65e8a926f (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19255]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):397.
APA	王玉田.(1998).Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究.半导体学报,19(5),397.
MLA	王玉田."Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究".半导体学报 19.5(1998):397.