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兰州理工大学 [1]
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期刊论文 [2]
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The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain
期刊论文
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284
作者:
Lu, Xuefeng
;
Li, Lingxia
;
Guo, Xin
;
Ren, Junqiang
;
Xue, Hongtao
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提交时间:2022/08/09
Binding energy
Calculations
Gallium compounds
Graphene
Ground state
Heterojunctions
III-V semiconductors
Ohmic contacts
Schottky barrier diodes
Strain
Thermoelectric equipment
Van der Waals forces
Electronic characteristics
Graphene/GaP
In-plane strains
Interlayer coupling
Layer-spacing
Micro/nano
Nanoelectronic devices
P-type
Schottky barriers
Schottky contacts
Regulation of UV light on the hot-electron current of Au/TiO2:Tb3+Schottky diodes
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2022, 卷号: 308
作者:
Liu, Shu Li
;
Fei, Guang Tao
;
Xia, Kai
;
Xu, Shao Hui
;
Gao, Xu Dong
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提交时间:2022/01/10
Semiconductors
Sensors
Doping
TiO 2
Barriers
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