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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2022    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The controllable electronic characteristics and Schottky barrier of graphene/GaP heterostructure via interlayer coupling and in-plane strain 期刊论文 Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 2022, 卷号: 284 作者:  Lu, Xuefeng;  Li, Lingxia;  Guo, Xin;  Ren, Junqiang;  Xue, Hongtao 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2022/08/09 Binding energy  Calculations  Gallium compounds  Graphene  Ground state  Heterojunctions  III-V semiconductors  Ohmic contacts  Schottky barrier diodes  Strain  Thermoelectric equipment  Van der Waals forces  Electronic characteristics  Graphene/GaP  In-plane strains  Interlayer coupling  Layer-spacing  Micro/nano  Nanoelectronic devices  P-type  Schottky barriers  Schottky contacts