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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2021     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Turning electronic performance and Schottky barrier of graphene/β-Si3N4 (0001) heterostructure by external strain and electric field 期刊论文 Vacuum, 2021, 卷号: 188 作者:  Lu, Xuefeng;  Li, Lingxia;  Luo, Jianhua;  Guo, Xin;  Ren, Junqiang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/06/03 Optoelectronic devices  Schottky barrier diodes  Van der Waals forces  Electronic performance  Electronics devices  External strains  First principle calculations  Optoelectronics devices  P-type  Schottky barriers  Schottky contacts  Si$-3$/N$-4$  Van der Waal   Highly Textured Assembly of Engineered Si Nanowires for Artificial Synapses Model 期刊论文 ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 1375-1383 作者:  Duan, Chunyang;  Zhao, Dong;  Wang, Xiang;  Ren, Bei;  Li, Mengqi 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/08/31 Si nanowires  HiGee technology  assembly  graphene quantum dots  artificial synapses   High-performance mid-infrared photodetection based on Bi2Se3 maze and free-standing nanoplates 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2021, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 9 作者:  Luo, Shi;  Li, JiaLu;  Sun, Tai;  Liu, Xiangzhi;  Wei, Dacheng 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/02/24 photodetector  Bi2Se3  infrared  2D materials   Optoelectronic Performance of 2D WSe2 Field Effect Transistor 期刊论文 Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 257-263 作者:  F.-L. Xia;  K.-X. Shi;  D.-X. Zhao;  Y.-P. Wang;  Y. Fan and J.-H. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13 Turning electronic performance and Schottky barrier of graphene/beta-Si3N4 (0001) heterostructure by external strain and electric field 期刊论文 VACUUM, 2021, 卷号: 188 作者:  Lu, Xuefeng;  Li, Lingxia;  Luo, Jianhua;  Guo, Xin;  Ren, Junqiang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/06/03