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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 5 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Li, B.;  Xi, K.;  Li, B. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/01/19 SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Constructing J/psi family with updated data of charmoniumlike Y states 期刊论文 PHYSICAL REVIEW D, 2019, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 17 作者:  Wang, Jun-Zhang;  Chen, Dian-Yong;  Liu, Xiang;  Matsuki, Takayuki 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/11/10 Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 11 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Geng, Chao;  Zhang, Zhan-Gang;  Liu, Jie;  Li, Xiao-Yuan 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/11/10 Anti-fuse PROM  Single event effects  Heavy ions  Pulsed laser  Space error rate   Understanding the eta(c)rho decay mode of Z(c)(()'()) via the triangle loop mechanism 期刊论文 PHYSICAL REVIEW D, 2019, 卷号: 99, 期号: 7, 页码: 9 作者:  Matsuki, Takayuki;  Zuo, Wei;  Dong, Yu-Bing;  Chen, Dian-Yong;  Xiao, Cheng-Jian 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/11/10 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文 原子核物理评论, 2019, 期号: 03, 页码: 367-372 作者:  姬庆刚;  刘杰;  李东青;  刘天奇;  叶兵 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/11/21