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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   Effect of interaction between H and He on micro-defects in Fe9Cr alloy investigated by slow positron beam 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2019, 卷号: 526, 页码: 5 作者:  Li, Lei;  Jin, Shuoxue;  Zhang, Peng;  Wang, Dandan;  Cao, Xingzhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2022/01/19 H/He  Sequential irradiation  Micro-defects  Fe9Cr alloy   Irradiation damage in xenon-irradiated alpha-Al2O3 before and after annealing 期刊论文 JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2019, 卷号: 39, 期号: 14, 页码: 4307-4312 作者:  Xu, Lijun;  Li, Bingsheng;  Liu, Huiping;  Kang, Long;  Zhang, Tongmin 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/11/10 Alumina  Irradiation damage  Microstructure  Raman spectroscopy   Transmission electron microscopy study of extended defects in high dose He-implanted GaN after annealing at 450 degrees C 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 454, 页码: 45-49 作者:  Li, Bingsheng;  Liu, Yuzhu;  Liu, Huiping;  Kang, Long;  Xiong, Anli 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/11/10 GaN  He ion implantation  Microstructure  Extended defects   Irradiation behavior of C-f/SiC composite with titanium carbide (TiC)-based interphase 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2019, 卷号: 523, 页码: 10-15 作者:  Wang, Ji;  Wang, Kai;  Pei, Xueliang;  Li, Mian;  Yuan, Qin 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2019/11/10 Ion irradiation  C-f/SiC composites  Interphase  MAX phases  PlP process  TiC   Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 7 作者:  Zhao, P. X.;  Liu, T. Q.;  Cai, C.;  Li, D. Q.;  Ji, Q. G. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/01/19 MTJ damage  Heavy ion  Displacement damage  Hard bit error  Annealing effect   SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Study on vacancy-type defects in SIMP steel induced by separate and sequential H and He ion implantation 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2019, 卷号: 520, 页码: 131-139 作者:  Zhang, Tongmin;  Wang, Zhiguang;  Cao, Xingzhong;  Lu, Eryang;  Jin, Shuoxue 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/11/10 Helium/hydrogen implantation  Positron annihilation  Vacancy defects  SIMP steel