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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利 专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07 作者:  李亮;  刘应军;  岳爱文;  王任凡 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利 专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13 作者:  岩田雅年;  大鹿嘉和 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利 专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23 作者:  舒斌;  吴继宝;  古牧;  范林西;  陈景明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利 专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24 作者:  李亮;  刘应军;  汤宝;  王任凡 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Si-Ge层状结构的三能级系统光发射 会议论文 中国江苏南京, 2016-06-16 作者:  董泰阁;  黄伟其;  王刚;  吴学科;  黄忠梅 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/02 三能级系统  Si-Ge层状结构  (100)和(111)晶向  超晶格结构   纳米氮化硅掺杂体系的第一性原理及分子动力学的模拟研究 学位论文 2016 作者:  张珺 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/11/05 铟掺杂  纳米氮化硅  第一性原理  纳米线  分子动力学  拉伸行为