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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties   Ultralow reverse leakage current in AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes grown on bulk GaN substrate 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Lu, Xing;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Zou, Xinbo;  Zhang, Anping 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 gamma-ray detector based on n-type 4H-SiC Schottky barrier diode 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 20 作者:  Du YY(杜园园);  Zhang CL(张春雷);  Cao XL(曹学蕾);  Du, YY;  Zhang, CL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2017/07/26 4H-SiC  wide-band semiconductor  Schottky diode  gamma-ray detector   The effect of annealing temperature on the electronic parameters and carrier transport mechanism of Pt/n-type Ge Schottky diode 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 62, 页码: 63-69 作者:  Guo, Erjuan[1];  Zeng, Zhigang[2];  Zhang, Yan[3];  Long, Xiao[4];  Zhou, Haijun[5] 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/26 Schottky diodes  Ge  Annealing  Ideality factor  Barrier height   Characterization of vertical Au/beta-Ga2O3 single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer 期刊论文 Chin. Phys. B, 2016, 卷号: 25, 期号: 1 作者:  Liu XZ(刘兴钊);  Yue C(岳超);  Zhang WL(张万里);  Xia ZT(夏长泰) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/12/25