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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Calculations on decay rates of various proton emissions 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL A, 2016, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 68 作者:  Qian, YB;  Ren, ZZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/08 DEPENDENT CLUSTER MODEL  HALF-LIVES  ALPHA-DECAY  DENSITY  RADIOACTIVITY  SCATTERING  EMITTERS  NUCLEI  DEFORMATIONS  POTENTIALS   The role of polarization coulomb field scattering in the electron mobility of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2016, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 883-888 作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Yang, Ming;  Shi, Wenjing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  Polarization  Coulomb field scattering  Two-dimensional electron gas electron mobility   Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 10, 页码: 3908-3913 作者:  Yang, Ming;  Lv, Yuanjie;  Feng, Zhihong;  Lin, Wei;  Cui, Peng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/GaN heterostructure FETs (HFETs)  extrinsic transconductance  polarization Coulomb field (PCF) scattering   Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 4, 页码: 1471-1477 作者:  Yang, Ming;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Cui, Peng;  Fu, Chen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/GaN heterostructure FETs (HFETs)  extrinsic transconductance  parasitic source access resistance  polarization Coulomb field (PCF)  scattering   Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2016, 卷号: 30, 期号: 35 作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhao-Jun;  Yang, Ming;  Luan, Chong-Biao;  Wang, Yu-Tang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/16 AlGaN/AlN/GaN heterostructure  field-effect transistor  polarization  Coulomb field scattering  two-dimensional electron gas  electron  mobility   Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 100, 页码: 358-364 作者:  Cui, Peng;  Liu, Huan;  Lin, Zhaojun;  Cheng, Aijie;  Liu, Yan 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/17 AlGaN/GaN HFETs  Cap layer thickness  Polarization Coulomb field  scattering