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期刊论文 [24]
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2016 [28]
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发表日期:2016
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远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究
学位论文
2016, 2016
池晓伟
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
远程等离子体辅助原子层沉积
HfO2/Ge界面
N2等离子体预处理
Remote plasma Atomic Layer deposition
HfO2/Ge interface
N2 plasma pretreatment
原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究
学位论文
2016, 2016
陆超
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/06/20
阻变存储器
原子层沉积
HfO2
Resistive switching random access memory (RRAM)
Atomic layer deposition (ALD)
HfO2
Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors
期刊论文
Journal of electronic materials, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 4716-4720
作者:
Zhang, Peng
;
Ye, Zhen-Hua
;
Sun, Chang-Hong
;
Chen, Yi-Yu
;
Zhang, Tian-Ning
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2019/05/09
Ald al2o3
Minority carrier lifetime
C-v characteristics
R-v characteristics
Baking stability
Annealing Temperature Dependent Electrical Properties and Leakage Current Transport Mechanisms in Atomic Layer Deposition-Derived Al2O3-Incorporated HfO2/Si Gate Stack
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 8075-8082
作者:
Gao, Juan
;
He, Gang
;
Zhang, Jiwen
;
Chen, Xuefei
;
Jin, Peng
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/11/21
High-k Gate Dielectric
Atomic Layer Deposition
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列的影响
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 681-686
作者:
Yang Chao
;
Li Ying
;
Yan Lu
;
Cao Yun-Zhen
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/02/27
atomic layer deposition
iron oxide
water-assisted chemical vapor deposition
vertically aligned carbon nanotubes
controlled structure
three-dimensional sample
Ultrathin coating of confined pt nanocatalysts by atomic layer deposition for enhanced catalytic performance in hydrogenation reactions
期刊论文
Chemistry-a european journal, 2016, 卷号: 22, 期号: 25, 页码: 8438-8443
作者:
Wang, Meihua
;
Gao, Zhe
;
Zhang, Bin
;
Yang, Huimin
;
Qiao, Yan
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/05/09
Atomic layer deposition
Confined catalyst
Hydrogenation reactions
Interfaces
Ultrathin coating
Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358
作者:
Gao, Juan
;
He, Gang
;
Sun, Zhaoqi
;
Chen, Hanshuang
;
Zheng, Changyong
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Electrical Properties
Carrier Transportation Mechanism
Incorporation
Thermal atomic layer deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as precursors
期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016
作者:
Xiang JJ(项金娟)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/05/09
Investigation of N type metal TiAlC by thermal atomic layer deposition using TiCl4 and TEA as precursors
期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016
作者:
Xiang JJ(项金娟)
;
Li TT(李亭亭)
;
Wang XL(王晓磊)
;
Li JF(李俊峰)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/09
Properties and Morphology of TiN Films Deposited by Atomic Layer Deposition
期刊论文
2016, 2016
Siyi Xie
;
Jian Cai
;
Qian Wang
;
Lu Wang
;
Ziyu Liu
;
Siyi Xie
;
Jian Cai
;
Qian Wang
;
Lu Wang
;
Ziyu Liu
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