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| 基于晶体管结构的存储器单元 专利
专利号: CN106158863A, 申请日期: 2016-11-23, 公开日期: 2016-11-23
作者: 戴明志
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| 多栅晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201110199673.0, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2013-01-16
作者: 李俊峰 ; 赵超; 罗军
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| 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 专利
专利号: CN201110257880.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-03-13
作者: 王玉光; 殷华湘; 董立军; 陈大鹏
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| 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者: 周航; 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 郭旗; 任迪远; 余德昭; 苏丹丹; 郭旗; 余学峰
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| 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2
作者: 王帆; 李豫东; 郭旗; 汪波; 张兴尧; 文林; 何承发; 郭旗; 何承发; 李豫东
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战 期刊论文
科学（上海）, 2016
彭练矛
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/12/03
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| 碳纳米管场效应晶体管:现状和未来 期刊论文
中国科学. 物理学， 力学， 天文学, 2016
刘力俊; 张志勇
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/12/03
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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性 期刊论文
电源学报, 2016, 卷号: 第14卷 第6期, 页码: 53-57
作者: 王小浩，王俊，江希，彭志高，李宗鉴，沈征
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| 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/06/02
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