碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性 | |
王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴,沈征 | |
刊名 | 电源学报
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2016 | |
卷号 | 第14卷 第6期页码:53-57 |
关键词 | 短路测试 短路电流 短路能力 |
ISSN号 | 2095-2805 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6063131 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | 湖南大学电气与信息工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴,沈征. 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性[J]. 电源学报,2016,第14卷 第6期:53-57. |
APA | 王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴,沈征.(2016).碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性.电源学报,第14卷 第6期,53-57. |
MLA | 王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴,沈征."碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性".电源学报 第14卷 第6期(2016):53-57. |
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