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| 一种电极引线单元、真空光电器件及其制作方法 专利
专利号: CN201611258814.0, 申请日期: 2016-12-30, 公开日期: 2017-06-20
作者: 王兴
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210336478.2, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2014-03-26
作者: 陈广璐; 李春龙 ; 李俊峰; 闫江; 孟令款
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| 单TO封装BOSA 专利
专利号: CN205846436U, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2016-12-28
作者: 李鸣
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| 基于不规则/非对称结构的左手材料单元及其天线设计 学位论文
2016, 2016
李坚
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| 原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究 学位论文
2016, 2016
陆超
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 六方BN薄膜的多样性沉底直接生长及其导引ZnO纳米柱阵列的压电式纳米发电机研究 学位论文
2016, 2016
ABDUL MAJID
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 基于紫外纳米软压印工艺的陷光结构研究 学位论文
2016, 2016
白彦强
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 表面等离子强限制的微光波导研究 学位论文
2016, 2016
储成旭
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 卷对卷超大单原子层六方BN薄膜生长及其二维光电子器件应用研究 学位论文
2016, 2016
伍臣平
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/06/20
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| Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究 学位论文
2016, 2016
赖淑妹
收藏 | 浏览/下载：140/0 | 提交时间：2017/06/20
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