半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	陈广璐; 李春龙; 李俊峰; 闫江; 孟令款; 贺晓彬; 赵超
	2016-12-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210336478.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种假栅结构的制造方法。本发明在假栅材料层之上形成了ONO结构和顶层非晶硅层，首先以图案化的顶层非晶硅层为掩膜对ONO结构进行刻蚀，能够精确地控制其尺寸和剖面形貌，使ONO结构成为所期望的假栅材料层的掩膜，并且能够控制ONO各层刻蚀速率和厚度；接着，以ONO结构为掩膜刻蚀假栅材料层，同样实现图形的精确转移，使得假栅关键尺寸和剖面形貌得到精确控制，使得后续形成的金属栅极具有良好的粗糙度，保证了器件的性能及其稳定性。
公开日期	2014-03-26
申请日期	2012-09-12
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16652]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈广璐,李春龙,李俊峰,等. 半导体器件制造方法. CN201210336478.2. 2016-12-28.