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科研机构
西安交通大学 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2016
专题:西安交通大学
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Sandwich double gate vertical tunneling field-effect transistor
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 93, 页码: 138-143
作者:
Wang, Ying
;
Zhang, Wen-hao
;
Yu, Cheng-hao
;
Cao, Fei
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Double gate (DG)
Vertical tunnel field effect transistor (VTFET)
High-k dielectric material
A novel GaAs-based tunnel field-effect transistor without drain junction
期刊论文
Hsi-An Chiao Tung Ta Hsueh/Journal of Xi'an Jiaotong University, 2016, 卷号: 50, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 68-72 and 123
作者:
Luo, Dongxu
;
Li, Zunchao
;
Guan, Yunhe
;
Zhang, Yefei
;
Meng, Qingzhi
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/02
Band to band tunneling
Doping concentration
Driving current
Manufacture process
Off-state current
On state current
Subthreshold slope
Tunnel barrier
Characteristics of cylindrical surrounding-gate GaAsxSb1-x/InyGa1-y As heterojunction tunneling field-effect transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Guan, Yun-He
;
Li, Zun-Chao
;
Luo, Dong-Xu
;
Meng, Qing-Zhi
;
Zhang, Ye-Fei
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/02
tunneling field-effect transistor
resonant tunneling
surrounding-gate
subthreshold swing
Analytical drain current model considering mobile charges for double-gate tunneling field effect transistor
期刊论文
Hsi-An Chiao Tung Ta Hsueh/Journal of Xi'an Jiaotong University, 2016, 卷号: 50, 页码: 38-44
作者:
Meng, Qingzhi
;
Li, Zunchao
;
Guan, Yunhe
;
Zhang, Yefei
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/26
Analytical expressions
Approximation methods
Drain current models
Electric field distributions
Mobile charge
Numerical simulation software
Strong inversion regions
Tunneling field-effect transistors
Tunnel MOSFET with partial channel underlap exhibiting low subthreshold slope
会议论文
作者:
Zhang, Wen-Hao
;
Li, Zun-Cao
;
Guan, Yun-He
;
Xiong, Qi
;
Zheng, Chuang
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/11/26
Energy-band diagram
Metal oxides
Short-channel effect
Silvaco
Strong immunity
Subthreshold slope
Tunneling field-effect transistors
Two dimensional device simulation
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