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| 用于激光器应用的使用GAN衬底的光学装置结构 专利
专利号: CN102396083B, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者: 詹姆斯·W·拉林; 丹尼尔·F·费泽尔; 尼古拉斯·J·普菲斯特尔; 拉贾特·萨尔马
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| 新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
安平博
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| 一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 高兴国
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种p型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103594922B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 丛国芳
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| 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利号: CN103594921B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 丛国芳
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| 石墨烯与GaN材料的接触研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2015
作者: 徐昌一
收藏 | 浏览/下载：86/0 | 提交时间：2016/04/11
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| 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法 专利
专利号: CN103227265B, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 张保平; 刘文杰; 胡晓龙; 张江勇; 应磊莹
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 具有偏离有源区的错配位错的GaN基激光二极管 专利
专利号: CN103026561B, 申请日期: 2015-07-08, 公开日期: 2015-07-08
作者: R·巴特; D·兹佐夫
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| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生
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| 硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
冯玉霞
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2015/06/02
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