|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| SOI MOS晶体管 专利
专利号: CN201210154443.7, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2012-09-19
作者: 罗家俊 ; 李莹; 毕津顺; 韩郑生
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2015/05/12 |
| 混合垂直腔激光器 专利
专利号: CN102388513B, 申请日期: 2014-12-10, 公开日期: 2014-12-10
作者: 郑一淑
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 基于Fano谐振的眼型谐振腔尖锐度研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
娄小伟
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2015/05/03
|
| Drought Forecasting in a Semi-arid Watershed Using Climate Signals: a Neuro-fuzzy Modeling Approach 期刊论文
Journal of Mountain Science, 2014, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1593-1605
Bahram CHOUBIN; Shahram KHALIGHI-SIGAROODI; Arash MALEKIAN; Sajjad AHMAD; Pedram ATTAROD
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2014/11/18
|
| Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2014, 期号: 342, 页码: 286–291
作者: Gu S(古松)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2014/12/16 |
| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/04/01 |
| 基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置 专利
专利号: CN103199436B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
作者: 张冶金; 渠红伟; 王海玲; 张斯日古楞; 郑婉华
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利
专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16
作者: 罗家俊; 海潮和; 韩郑生; 毕津顺
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/04/08 |
| SOI MOS器件的建模方法 专利
专利号: CN201210248270.5, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2012-11-21
作者: 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生; 卜建辉
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2015/05/12 |
| 一种射频单电子晶体管扫描探针及其应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102928624A, 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-11-27
作者: 孙建东; 李欣幸; 秦华
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2014/11/27 |
