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| 多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 专利
专利号: CN200910312391.X, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2011-06-29
作者: 刘新宇 ; 袁婷婷; 蒲颜; 欧阳思华; 王亮
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| 一种AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取方法 专利
专利号: CN201010589028.5, 申请日期: 2014-07-16, 公开日期: 2012-07-04
作者: 陈晓娟; 蒲颜; 刘新宇; 袁婷婷; 庞磊
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| 集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件 专利
专利号: CN201110172941.X, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2011-10-19
作者: 叶甜春; 周隽雄; 陈岚; 阮文彪; 李志刚
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| 多线网之间物理短路位置的自动定位方法 专利
专利号: CN200910312941.8, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2011-07-06
作者: 吴玉平; 叶甜春; 陈岚
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| 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统 专利
专利号: CN201110459433.X, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2012-06-13
作者: 罗家俊; 韩郑生; 曾传滨; 高林春; 毕津顺
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| 一种封装基板的凸点及制造方法 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 于中尧; 方志丹; 孙瑜
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| 一种跨导级线性度提高电路及应用其的混频器电路 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 黄水龙; 武振宇; 张海英
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