多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 高频高压器件与集成研发中心

	多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法
	刘新宇; 袁婷婷; 蒲颜; 欧阳思华; 王亮
	2014-07-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910312391.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。
公开日期	2011-06-29
申请日期	2009-12-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12968]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,袁婷婷,蒲颜,等. 多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法. CN200910312391.X. 2014-07-30.