一种AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取方法

	一种AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取方法
	陈晓娟; 蒲颜; 刘新宇; 袁婷婷; 庞磊; 罗卫军
	2014-07-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010589028.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种AlGaN/GaN?HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
公开日期	2012-07-04
申请日期	2010-12-15
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12962]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晓娟,蒲颜,刘新宇,等. 一种AlGaN/GaN HEMT小信号参数提取方法. CN201010589028.5. 2014-07-16.