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科研机构
北京大学 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
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发表日期
2013 [4]
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Investigations on Line-Edge Roughness (LER) and Line-Width Roughness (LWR) in Nanoscale CMOS Technology: Part I-Modeling and Simulation Method
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Runsheng
;
Yu, Tao
;
Chen, Jiang
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2015/11/10
Auto-correlation function
cross-correlation
line-edge-roughness (LER)
line-width-roughness (LWR)
modeling
variability
INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS
VARIABILITY
MOSFETS
DECANANOMETER
PERFORMANCE
Investigations on Line-Edge Roughness (LER) and Line-Width Roughness (LWR) in Nanoscale CMOS Technology: Part II-Experimental Results and Impacts on Device Variability
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Wang, Runsheng
;
Jiang, Xiaobo
;
Yu, Tao
;
Fan, Jiewen
;
Chen, Jiang
;
Pan, David Z.
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2015/11/10
FinFET
line-edge roughness (LER)
line-width roughness (LWR)
nanowire
variability
INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS
FINFET MATCHING PERFORMANCE
MOSFETS
DECANANOMETER
NANOWIRES
OXIDATION
NOISE
Back-Gate Bias Dependence of the Statistical Variability of FDSOI MOSFETs With Thin BOX
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2013
Yang, Yunxiang
;
Markov, Stanislav
;
Cheng, Binjie
;
Zain, Anis Suhaila Mohd
;
Liu, Xiaoyan
;
Asenov, Asen
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
Back-gate bias
line edge roughness (LER)
metal gate granularity (MGG)
random dopant fluctuation (RDF)
statistical variability (SV)
thin buried oxide (BOX)
INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS
SIMULATION
DECANANOMETER
IMPACT
Simulation of correlated line-edge roughness in multi-gate devices
其他
2013-01-01
Jiang, Xiaobo
;
Wang, Runsheng
;
Huang, Ru
;
Chen, Jiang
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
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