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微电子研究所 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2013 [4]
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发表日期:2013
专题:微电子研究所
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隧穿场效应晶体管及其形成方法
专利
申请日期: 2013-10-30,
作者:
许淼
;
朱正勇
;
朱慧珑
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2018/04/10
基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法
专利
专利号: CN200910312948.X, 申请日期: 2013-10-16, 公开日期: 2011-07-06
作者:
杨潇楠
;
王琴
;
刘明
;
王永
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/04/08
隧穿场效应晶体管的制造方法
专利
申请日期: 2013-07-25,
作者:
朱慧珑
;
朱正勇
;
许淼
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2018/04/02
存储器件及其制造方法和存取方法
专利
申请日期: 2013-04-19,
作者:
朱慧珑
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提交时间:2018/04/03
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