| 隧穿场效应晶体管的制造方法 | |
| 朱慧珑; 朱正勇; 许淼 | |
| 2013-07-25 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法，包括：提供第一支撑衬底；在第一支撑衬底上依次形成第一去除层、半导体层、第一栅介质层和第一栅极，以及在半导体层的两侧形成具有不同的掺杂类型、与半导体层相接触的源极区和漏极区；形成覆盖源极区、漏极区和第一栅极的介质层；将介质层与第二支撑衬底键合；以第二支撑衬底为支撑，去除第一支撑衬底以及第一去除层，并在半导体层上依次形成第二栅介质层和第二栅极；形成连接第二栅极的第二金属层；形成源漏接触，以及与第二金属层连接的接触。本发明制造的晶体管结构可提高导通电流，改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17787]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,朱正勇,许淼. 隧穿场效应晶体管的制造方法. 2013-07-25. |
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