| 隧穿场效应晶体管及其形成方法 | |
| 许淼; 朱正勇; 朱慧珑 | |
| 2013-10-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍；第一栅极和第二栅极，分别形成在所述鳍两侧的半导体衬底之上，在所述第一栅极与鳍的第一侧面及半导体衬底之间，以及在所述第二栅极与鳍的第二侧面及半导体之间具有栅介质层；第一掺杂区和第二掺杂区，分别位于第一栅极和第二栅极一侧的半导体衬底中。本发明通过控制鳍的宽窄来实现窄隧穿结，提高了隧穿电流，并通过增大有效隧穿面积进一步提高导通电流。此外，还可以抑制与缺陷相关的漏电流，改善器件的亚阈值特性。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17882]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许淼,朱正勇,朱慧珑. 隧穿场效应晶体管及其形成方法. 2013-10-30. |
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