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防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101950723A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
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基于静电力的微液滴驱动芯片 期刊论文
传感器与微系统, 2011, 期号: 02
刘翔; 高安然; 李铁; 周萍; 王跃林
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