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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文 Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907 Liu X.; Song H.; Miao G.; Jiang H.; Cao L.; Sun X.; Li D.; Chen Y.; Li Z. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/10/21 Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文 Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907 Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Sun X. J.; Li D. B.; Chen Y. R.; Li Z. M. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/10/21 Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文 Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999 Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/10/21