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一种制作结晶态高K栅介质材料的方法 专利
申请日期: 2011-11-28, 公开日期: 2012-11-20
作者:  常虎东;  薛百清;  孙兵;  王盛凯;  卢力
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一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦
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半导体器件及其形成方法 专利
申请日期: 2011-03-31,
作者:  骆志炯;  朱慧珑;  尹海洲
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