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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 专利 专利号: CN200810103253.6, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2009-10-07 作者:  金智;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 GSMBE生长的带有渐变基区的InP/InGaAs/InP DHBT 会议论文 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010 滕腾; 艾立鹍; 孙浩; 徐安怀; 朱福英; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18