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防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101924138A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22
肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
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具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916776A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静; 罗杰馨; 伍青青; 肖德元; 王曦
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高K栅介质材料的研究现状与前景 期刊论文
材料导报, 2010, 期号: 21
余涛; 吴雪梅; 诸葛兰剑; 葛水兵
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低温Au-Si键合及压力开关研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2010
荆二荣
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