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上海微系统与信息技术... [5]
内容类型
专利 [3]
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2010
专题:上海微系统与信息技术研究所
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防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101924138A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22
肖德元
;
王曦
;
黄晓橹
;
陈静
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/01/06
抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916726A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静
;
罗杰馨
;
伍青青
;
肖德元
;
王曦
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/01/06
具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916776A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
陈静
;
罗杰馨
;
伍青青
;
肖德元
;
王曦
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
高K栅介质材料的研究现状与前景
期刊论文
材料导报, 2010, 期号: 21
余涛
;
吴雪梅
;
诸葛兰剑
;
葛水兵
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
表面活性剂
PDMS
微流控芯片电泳
低温Au-Si键合及压力开关研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
荆二荣
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2012/03/06
键合
Au-Si键合
键合强度
微结构分析
红外显微镜
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