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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 外切磁场对ICP增强非平衡磁控溅射沉积Cu的影响 会议论文 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会, 中国辽宁大连, 2009-07-20 作者:  齐雪莲;  马腾才 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/24 非平衡磁控溅射  Cu  ICP  等离子体密度  离子密度  电子温度  电离度  电子密度  导电膜  空间分布   会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置 专利 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2009-07-08 作者:  任春生;  张家良;  王德真;  王友年 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/24