| 外切磁场对ICP增强非平衡磁控溅射沉积Cu的影响 | |
| 齐雪莲; 马腾才 | |
| 2009 | |
| 会议名称 | 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会 |
| 会议日期 | 2009-07-20 |
| 会议地点 | 中国辽宁大连 |
| 关键词 | 非平衡磁控溅射 Cu ICP 等离子体密度 离子密度 电子温度 电离度 电子密度 导电膜 空间分布 |
| 页码 | 1 |
| 会议录 | 第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5286774 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.中国民航大学理学院 2.大连理工大学物理与光电工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐雪莲,马腾才. 外切磁场对ICP增强非平衡磁控溅射沉积Cu的影响[C]. 见:第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会. 中国辽宁大连. 2009-07-20. |
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