会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置 | |
任春生; 张家良; 王德真; 王友年 | |
2009 | |
权利人 | 大连理工大学 |
公开日期 | 2009-07-08 |
URL标识 | 查看原文 |
申请日期 | 2009-01-13 |
内容类型 | 专利 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5306941 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 大连理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任春生,张家良,王德真,等. 会切磁场约束ICP增强电离的非平衡磁控溅射薄膜沉积装置. 2009-01-01. |
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