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上海微系统与信息技术... [2]
微电子研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [3]
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发表日期:2008
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300mm ICP硅栅刻蚀机关键技术和工艺的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
张庆钊
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提交时间:2017/10/30
多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 05
李睿
;
王俊
;
孔蔚然
;
马惠平
;
浦晓栋
;
莘海维
;
王庆东
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2012/01/06
薄膜物理学
ZrO2薄膜
脉冲激光沉积法
衬底温度
结晶结构
电学性能
宽带驱动放大器MMIC的SMD封装
期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 04
郭俊榕
;
罗乐
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/01/06
静态随机存储器
单比特位失效
多晶硅栅耗尽
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