多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)

	多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)
	李睿 ; 王俊 ; 孔蔚然 ; 马惠平 ; 浦晓栋 ; 莘海维 ; 王庆东
刊名	功能材料与器件学报
	2008
期号	05
关键词	薄膜物理学 ZrO2薄膜脉冲激光沉积法衬底温度结晶结构电学性能
ISSN号	1007-4252
中文摘要	本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻。我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51753]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李睿,王俊,孔蔚然,等. 多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)[J]. 功能材料与器件学报,2008(05).
APA	李睿.,王俊.,孔蔚然.,马惠平.,浦晓栋.,...&王庆东.(2008).多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文).功能材料与器件学报(05).
MLA	李睿,et al."多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析(英文)".功能材料与器件学报 .05(2008).