×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2008 [11]
学科主题
光电子学 [4]
半导体化学 [1]
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2008
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Small sige quantum dots obtained by excimer laser annealing
期刊论文
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751
作者:
Han, Genquan
;
Zeng, Yugang
;
Liu, Yan
;
Yu, Jinzhong
;
Cheng, Buwen
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Diffusion
Atomic force microscopy
Germanium silicon alloys
Mn-including inas quantum dots fabricated by mn implantation
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873
作者:
Hu, L. J.
;
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Jiao, Y. H.
;
Shi, L. W.
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Mn-including
Inas quantum dots
Pl
Magnetic
Structural characterization of mn implanted alinn
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 6
作者:
Majid, Abdul
;
Ali, Akbar
;
Zhu, J. J.
;
Wang, Y. T.
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Defect
Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2869-2873
Hu, LJ
;
Chen, YH
;
Ye, XL
;
Jiao, YH
;
Shi, LW
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:68/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Mn-including
InAs quantum dots
PL
magnetic
Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751
Han GQ
;
Zeng YG
;
Liu Y
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Yang HT
收藏
  |  
浏览/下载:61/1
  |  
提交时间:2010/03/08
diffusion
Evolution of ge and sige quantum dots under excimer laser annealing
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245
作者:
Han Gen-Quan
;
Zeng Yu-Gang
;
Yu Jin-Zhong
;
Cheng Bu-Wen
;
Yang Hai-Tao
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245
Han GQ
;
Zeng YG
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Yang HT
收藏
  |  
浏览/下载:86/2
  |  
提交时间:2010/03/08
Structural characterization of mn implanted AlInN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
收藏
  |  
浏览/下载:63/3
  |  
提交时间:2010/03/08
ION-IMPLANTATION
Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 641-644
Zeng Yugang
;
Han Genquan
;
Yu Jinzhong
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/23
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace