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科研机构
西安光学精密机械研究... [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
2008 [7]
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共7条,第1-7条
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发表日期:2008
内容类型:专利
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Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus
专利
专利号: US7462882, 申请日期: 2008-12-09, 公开日期: 2008-12-09
作者:
UETA, YOSHIHIRO
;
TAKAKURA, TERUYOSHI
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
TSUDA, YUHZOH
;
ITO, SHIGETOSHI
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/12/26
Method for forming underlayer composed of GaN-based compound semiconductor, GaN-based semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing GaN-based semiconductor light-emitting element
专利
专利号: US7452789, 申请日期: 2008-11-18, 公开日期: 2008-11-18
作者:
OKUYAMA, HIROYUKI
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
Conductive element with lateral oxidation barrier
专利
专利号: EP1986295A2, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
作者:
JEWELL, JACK L.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/31
Surface-emission semiconductor laser device
专利
专利号: US20080254566A1, 申请日期: 2008-10-16, 公开日期: 2008-10-16
作者:
YOKOUCHI, NORIYUKI
;
IWAI, NORIHIRO
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2020/01/18
Vertical cavity surface emitting laser with barrier reduction layers
专利
专利号: MYPI2007000430A0, 申请日期: 2008-09-20, 公开日期: 2008-09-20
作者:
MOHD SHARIZAL BIN ALIAS
;
KHAIRUL ANUAR BIN MAT SHARIF
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/30
Surface emitting laser device
专利
专利号: US7418020, 申请日期: 2008-08-26, 公开日期: 2008-08-26
作者:
HIRAIWA, KOJI
;
KAGEYAMA, TAKEO
;
IWAI, NORIHIRO
;
TAKAKI, KEISHI
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
Vertically emitting laser and method of making the same
专利
专利号: US20080198890A1, 申请日期: 2008-08-21, 公开日期: 2008-08-21
作者:
UNGAR, JEFFREY E.
;
OSOWSKI, MARK L.
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提交时间:2019/12/31
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